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油浸式電力變壓器

油浸式電力變壓器是一種靜止的電氣設(shè)備,是用來(lái)將某一數(shù)值的交流電壓(電流)變成頻率相同的另一種或幾種數(shù)值不同的電壓(電流)的設(shè)備。

溫度傳感器

溫度壓力傳感器是由溫度敏感元件和檢測(cè)線路組成的。溫度傳感器從使用的角度大致可分為接觸式和非接觸式兩大類(lèi),前者是讓溫度傳感器直接與待測(cè)物體接觸,來(lái)敏感被測(cè)物體溫度的變化,而后者是使溫度傳感器與待測(cè)物體離開(kāi)一定的距離,檢測(cè)從待測(cè)物體放射出的紅外線,從而達(dá)到測(cè)溫的目的。 傳統(tǒng)的熱電偶、熱電阻、熱敏電阻及半導(dǎo)體溫度傳感器都是將溫度值經(jīng)過(guò)一定的接口電路轉(zhuǎn)換后輸出模擬電壓或電流信號(hào),利用這些電壓或電流信號(hào)即可進(jìn)行測(cè)量控制。而將模擬溫度傳感器與數(shù)字轉(zhuǎn)換接口電路集成在一起,就成為具有數(shù)字輸出能力的數(shù)字溫度傳感器。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展,半導(dǎo)體溫度傳感器與相應(yīng)的轉(zhuǎn)換電路、接口電路以及各種其它功能電路逐漸集成在一起,形成了功能強(qiáng)大、精確、價(jià)廉的數(shù)字溫度傳感器。

鼓紙

鼓紙是喇叭中的主要發(fā)聲部件,喇叭的音質(zhì)好壞與鼓紙有很大關(guān)系。

干式電力變壓器

干式電力變壓器的鐵芯采用高導(dǎo)磁優(yōu)質(zhì)晶粒取向冷扎硅鋼片,45°全斜步進(jìn)接縫,鐵芯采用特殊的方管拉板結(jié)構(gòu),芯柱用絕緣帶綁扎,鐵芯表面采用特殊樹(shù)脂涂覆以防潮防銹,有效的降低了空載損耗、空載電流和鐵芯噪音。

扭矩傳感器

扭矩傳感器在旋轉(zhuǎn)動(dòng)力系統(tǒng)中最頻繁涉及到的參數(shù),旋轉(zhuǎn)扭矩,為了檢測(cè)旋轉(zhuǎn)扭矩傳統(tǒng)使用較多的是扭轉(zhuǎn)角相位差式傳感器,該方法是在彈性軸的兩端安裝著兩組齒數(shù)、形狀及安裝角度完全相同的齒 扭矩傳感器輪,在齒輪的外側(cè)各安裝著一只接近(磁或光)傳感器。當(dāng)彈性軸旋轉(zhuǎn)時(shí),這兩組傳感器就可以測(cè)量出兩組脈沖波,比較這兩組脈沖波的前后沿的相位差就可以計(jì)算出彈性軸所承受的扭矩量。該方法的優(yōu)點(diǎn):實(shí)現(xiàn)了轉(zhuǎn)矩信號(hào)的非接觸傳遞,檢測(cè)信號(hào)為數(shù)字信號(hào);缺點(diǎn):體積較大,不易安裝,低轉(zhuǎn)速時(shí)由于脈沖波的前后沿較緩不易比較,因此低速性能不理想。(扭矩測(cè)試比較成熟的檢測(cè)手段為應(yīng)變電測(cè)技術(shù)。它具有精度高,頻響快,可靠性好,壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。

組合式變壓器

組合式變壓器首先由美國(guó)有關(guān)電氣公司開(kāi)發(fā)。在美國(guó)叫基座式變壓器,英文名稱(chēng)為Padmounted transformer,在國(guó)內(nèi)也稱(chēng)美式箱變。

單向可控硅

單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部控制信號(hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通,但一旦導(dǎo)通,外部信號(hào)就無(wú)法使其關(guān)斷,只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個(gè)PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個(gè)PN結(jié)的二極管相比,單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制;與具有兩個(gè)PN結(jié)的三極管相比,差別在于可控硅對(duì)控制極電流沒(méi)有放大作用。

逆變變壓器

逆變變壓器是用于EPS逆變應(yīng)急電源中作電流電壓轉(zhuǎn)換的變壓器。

晶閘管

晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng),又可稱(chēng)做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅;1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和門(mén)極; 晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。

高頻變壓器

高頻變壓器是開(kāi)關(guān)電源最主要的組成部分。開(kāi)關(guān)電源中有很多拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。比如半橋式功率轉(zhuǎn)換電路,工作時(shí)兩個(gè)開(kāi)關(guān)三極管輪流導(dǎo)通來(lái)產(chǎn)生100kHz的高頻脈沖波,然后通過(guò)高頻變壓器進(jìn)行變壓,輸出交流電,高頻變壓器各個(gè)繞組線圈的匝數(shù)比例則決定了輸出電壓的多少。典型的半橋式變壓電路中最為顯眼的是三只高頻變壓器:主變壓器、驅(qū)動(dòng)變壓器和輔助變壓器(待機(jī)變壓器),每種變壓器在國(guó)家規(guī)定中都有各自的衡量標(biāo)準(zhǔn)。

晶閘管模塊

晶閘管模塊是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng),又可稱(chēng)做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅;1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和門(mén)極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示)。   晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。

可控硅模塊

可控硅模塊又叫晶閘管(SilicON Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等。今天大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極:第一層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。

LED光柱

LED光柱是利用LED芯片制作成的模擬條圖的光柱顯示器件(統(tǒng)稱(chēng)為L(zhǎng)ED光柱顯示器)。

LED數(shù)碼管

LED數(shù)碼管是以發(fā)光二極管作為發(fā)光單元的照明裝飾、亮化燈具。

恒壓變壓器

恒壓變壓器集穩(wěn)壓、隔離、變壓為一體,具有雙向?yàn)V波功能, 可消除電網(wǎng)雜波干擾, 具有良好的抗干擾能力,輸出為正弦波或準(zhǔn)方波兩種類(lèi)型。是精密電子儀器、微機(jī)及數(shù)控等設(shè)備的理想穩(wěn)壓電源

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

在一塊N型(或P型)半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)(或N型區(qū)),就形成兩個(gè)不對(duì)稱(chēng)的PN結(jié)。把兩個(gè)P區(qū)(或N區(qū))并聯(lián)在一起,引出一個(gè)電極,稱(chēng)為柵極(g),在N型(或P型)半導(dǎo)體的兩端各引出一個(gè)電極,分別稱(chēng)為源極(s)和漏極(d)。夾在兩個(gè)PN結(jié)中間的N區(qū)(或P區(qū))是電流的通道,稱(chēng)為導(dǎo)電溝道(簡(jiǎn)稱(chēng)溝道)。這種結(jié)構(gòu)的管子稱(chēng)為N溝道(或P溝道)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。

IGBT模塊

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

氣體放電管

氣體放電管包括二極管和三極管,電壓范圍從75V—3500V,超過(guò)一百種規(guī)格,嚴(yán)格按照CITEL標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行生產(chǎn)、監(jiān)控和管理。 放電管常用于多級(jí)保護(hù)電路中的第一級(jí)或前兩級(jí),起泄放雷電暫態(tài)過(guò)電流和限制過(guò)電壓作用。

可編程電源

可編程任意電源就是某些功能或參數(shù)可以通過(guò)計(jì)算機(jī)軟件編程控制的電源。比如設(shè)置輸出電壓是多少,最大輸出電流是多少,超過(guò)這個(gè)值則不能正常供電等等。例如,當(dāng)超過(guò)最大輸出電壓的時(shí)候?yàn)楹懔鬏敵?當(dāng)超過(guò)最大輸出電流的時(shí)候,電源就變成了穩(wěn)壓源等等!翱删幊獭钡囊馑际请娫磧(nèi)部主要功能通過(guò)上位機(jī)設(shè)定狀態(tài)字實(shí)現(xiàn)可控,大部分的電源是通過(guò)串口連接的?赏ㄟ^(guò)通訊規(guī)約,設(shè)定“最大電流、最大電壓、最大功率、實(shí)際電壓”等等。可編程任意電源的主要指標(biāo)是編程時(shí)間,編程精度,編程分辨率等等。

陶瓷放電管

陶瓷放電管用陶瓷密閉封裝,內(nèi)部由兩個(gè)或多個(gè)帶間隙的金屬電極,充以惰性氣體氬氣,氖氣構(gòu)成,當(dāng)加到兩電極端的電壓達(dá)到使氣體放電管內(nèi)的氣體擊穿時(shí),氣體放電管開(kāi)始放電,由高阻抗變成低阻抗,使浪涌電壓訊速短路至接近零電壓,并將過(guò)電流釋放入地,從而對(duì)后續(xù)電路起到保護(hù)作用。當(dāng)浪涌電壓消失后,陶瓷放電管熄滅恢復(fù)到高阻抗?fàn)顟B(tài),等待下一次動(dòng)作,陶瓷放電管常用于多級(jí)保護(hù)電路中的第一級(jí)或前兩級(jí),起泄放雷電暫態(tài)過(guò)電流和限制過(guò)電壓作用。

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